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衰減
總衰減=金屬衰減+介質(zhì)衰減+阻抗不均勻時反射引起的附加衰減
高頻下同軸電纜的衰減：
α=2.61*(f*ε)^0.5*(K2*Kρ1/d+Kb*Kρ2/D)*10^(-3)/lg((D+1.5*dw)/(K1*d))+9.10*f*ε^0.5*tgδ*10^(-5)(分貝/公里)
f：頻率（Hz） ε：絕緣相對介電常數(shù)（實心PE - 2.3；PVC - 5~7；Nylon - 3.5；Paper - 2.0~2.6；PP - 2.6；FEP - 2~2.2；空氣 - 1.0） D：絕緣外徑（mm） d：內(nèi)導(dǎo)體直徑（mm） tgδ：絕緣介質(zhì)損耗角正切值（空氣 - 0；PE - 0.0005；PVC - 0.05；FEP - 0.0002；Nylon - 0.009；PP - 0.0007） K1：內(nèi)導(dǎo)體直徑系數(shù) K2：內(nèi)導(dǎo)體衰減的絞線系數(shù) Kb：外導(dǎo)體為編織是引起高頻電阻增大的編織效應(yīng)系數(shù) = 1.5+0.083*D Kρ1：內(nèi)導(dǎo)體相對于國際標(biāo)準(zhǔn)軟銅的高頻電阻增大或減小的系數(shù) Kρ2：外導(dǎo)體相對于國際標(biāo)準(zhǔn)軟銅的高頻電阻增大或減小的系數(shù) dw：編織用導(dǎo)線直徑（mm）
第一項為金屬損耗造成的衰減，第二項為介質(zhì)損耗造成的衰減，頻率超過幾兆赫時不大于總衰減的1%。
當(dāng)頻率超過幾十兆赫時，導(dǎo)體表面發(fā)生氧化會產(chǎn)生一種新的損耗--視在介質(zhì)損耗，氧化層很�。s幾微米），頻率低時（幾兆赫以下），電流透入深度（見相關(guān)帖子）有幾十微米，電流在氧化層流通的部分較小，氧化產(chǎn)生的影響不大；但頻率高于幾十兆赫時，投入深度較小，大部分電流在氧化層傳輸，氧化層的電阻率大于導(dǎo)體，使衰減增大，因此要盡可能的消除金屬氧化。
［hansen 在 2007-12-19 17:10:30 編輯過］
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貌似...在什么地方看到過的....
是一個PDF檔...
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不錯的知識!~