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^{各位大神，新手上路，在做32AWG USB3.1 Type-C時(shí)，高頻參數(shù)測(cè)試IMR(綜合反射)與IRL(積分回?fù)p)不良，從線材上該如何改善，請(qǐng)各位大神指點(diǎn)一二，謝謝！}

要看每一對(duì)的數(shù)據(jù)吧，IMR 和IRL是多對(duì)數(shù)據(jù)綜合計(jì)算的，估計(jì)有不穩(wěn)定吧。

IMR 都NG 衰減應(yīng)該很差，衰減弄直IMR就OK了，IRL也會(huì)好一些

這個(gè)原因比較多，有可能導(dǎo)體，也有可能是發(fā)泡度，也有可能是對(duì)絞，所以你得從工藝查找。

可能是發(fā)泡度

信號(hào)對(duì)的衰減要做成一條直線，不能有尖峰

衰減主要分為兩種，導(dǎo)體衰減跟介質(zhì)衰減，低頻一般跟導(dǎo)體有關(guān)，高頻主要是介質(zhì)，發(fā)泡度是影響衰減的主要指標(biāo)，發(fā)泡介質(zhì)也有影響，高密度PE高頻衰減較好，可以適當(dāng)提升高密度占比，其次不能忽略的是產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，如果外徑、導(dǎo)體尺寸有變化會(huì)直接影響阻抗，間接影響衰減。測(cè)試溫度也是影響衰減的主要指標(biāo)，很多線纜未完全冷卻前衰減是偏高的，跟環(huán)境溫度不符，可以先放置一夜，或者提高一下測(cè)試溫度。衰減跟回波不是一碼事，雖然回波對(duì)衰減會(huì)造成一定影響，但多數(shù)時(shí)候可以忽略�；夭ǚ逯岛苡幸馑�，記住計(jì)算的缺陷長(zhǎng)度是準(zhǔn)的，但是造成這個(gè)缺陷的原因不是那么容易分析的，不要被公式困住，實(shí)際問(wèn)題實(shí)際分析。

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