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如題，我們通常是計算特性阻抗，但遇到共模阻抗、單端阻抗就束手無策了，誰能給這三個名詞以詳細(xì)的解釋？

差分阻抗和共模阻抗是針對差分對而言的，我們常用對絞通信線就是一種差分對。

在差分對上，加載不同模式的信號，信號所感受到的來至差分對的阻抗，即為對應(yīng)的阻抗。 也就是說，差分阻抗是差分信號沿差分對傳輸時受到的阻抗；共模阻抗是共模信號沿差分對傳輸時受到的阻抗。當(dāng)在傳輸線上，加載單端信號，信號感受到的單端阻抗即為特性阻抗。數(shù)值上而言，差分阻抗比特性阻抗二倍略小，共模阻抗比特性阻抗一半略大。

多多交流！

樓上的老兄,這些在那里能看到完整的.能指導(dǎo)看幾本書最好了,謝謝!

數(shù)字這玩意不大好理解，舉例說明吧，以USB為例，差分阻抗是90歐姆，共模阻抗是30歐姆，這個30歐姆是怎么計算出來的？

另外有個問題，同樣的芯線結(jié)構(gòu)，如果信號對由一對改成4對，這樣的差分阻抗及共模阻抗是否會有變化？

會長說的例子可以驗證我之前所說。差分90，共模30，測單端特性阻抗的話大概50的樣子。

玩理論意義不大的，知道有那么回事，知道有一個方向有一個依據(jù)就行了。

差分阻抗和共模阻抗，這兩者是基于差分對特性的。傳輸線特性改變，兩者自然也會改變。具體制程上的影響和變化，對絞包帶影響很大。個人理解不盡正確，就不多言了。

會長所言，無法做出回答，只能說理想情況下，完全相同的環(huán)境是不會的，但是實際制程中，很多因素是不可見，也是想不到的。一對換成四對誰能保證對電容不變呢，而且各對間的耦合情況肯定是不一樣。理論指導(dǎo)多接觸制程體會吧。

會長，共享一下知識，才相當(dāng)于灌5次水，太讓人傷心了T-T

圖3－1 傳輸線中的電磁感應(yīng)

這些基本原理適用于各種傳輸線。

左圖：一對傳輸線電流方向相反，兩導(dǎo)線產(chǎn)生的“導(dǎo)線間”的磁力線方向相同。
中圖：一對傳輸線電流方向相反，兩導(dǎo)線產(chǎn)生的“環(huán)繞兩導(dǎo)線”的磁力線方向相反。
上述情況說明磁場是集中在導(dǎo)線之間的。導(dǎo)線距離越近，磁力線就越集中，傳輸線向外散發(fā)的場就越弱，即傳輸線對電磁場的約束力越強。根據(jù)“互易”原理，外界對它的干擾也越小。

注：互易,即可互換的。如果一個二端口網(wǎng)絡(luò)，其雙向的傳輸量Z21=Z12，則該網(wǎng)絡(luò)是互易的。放大器一般是非互易的，其正向放大系數(shù)與反向隔離系數(shù)是不同的。

右圖：一對同方向電流的傳輸線。兩導(dǎo)線產(chǎn)生的磁力線在導(dǎo)線之間的相抵；兩導(dǎo)線產(chǎn)生的“環(huán)繞兩導(dǎo)線”的磁力線方向相同，磁場相增。這是電流產(chǎn)生磁場的主動情況。這種條件與外部干擾源產(chǎn)生感應(yīng)電流的被動情況效果相似。外磁場環(huán)繞兩根導(dǎo)線，產(chǎn)生同方向電流，產(chǎn)生共模干擾。干擾的程度與導(dǎo)線的間距有關(guān)，間距大，磁場的不均勻就會產(chǎn)生差模。

傳輸線間距越近，特性阻抗就越低。因為特性阻抗是由它們的分布電容和分布電感決定的，Zo＝sqrt(Lo/Co)。但是這并不是說特性阻抗越低越好，它需要匹配。對模擬弱信號來說匹配時能量的傳輸最大，信噪比高；對數(shù)字信號的完整性來說，需要根據(jù)端口阻抗來決定、調(diào)整線的特性阻抗。

希望有用!共享一下!

http://www.--catr.cn/ctu/cshkj/t20060712_396734.htm

這個網(wǎng)頁也可以看一下,希望對會長有用.

希望有用!

測試共模阻抗主要是用來觀察差分線路兩導(dǎo)線是否均勻?qū)ΨQ,抗EMI輻射的能力.個人觀點請指教

既然差分線對是傳輸差分信號的,那么測試共模阻抗及單端阻抗的目的是什么呢

又學(xué)到了一點

8樓兄弟的資料解說不錯。

支持這欄目...先!

測試共模阻抗主要是用來觀察差分線路兩導(dǎo)線是否均勻?qū)ΨQ,抗EMI輻射的能力.

我的金幣不夠，可是我要學(xué)習(xí)

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