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我的SYWV75-5衰減在50MHz時衰減要求：小于4.8，實際測量出來是5.25，鋁箔厚度是35um的熱熔鋁箔（押出時沒有過預(yù)熱器），改了很多種方案都無法改合格，請大家支持一下，怎樣改善會好點。其它所有參數(shù)都合格。

我用的押出設(shè)備是高壓充氮的，動力放線經(jīng)過一個儲線架+牽引機(jī)+導(dǎo)輪-進(jìn)皮層機(jī)，請問各位的押出方式是怎樣的，要注意哪些特點。

補(bǔ)充：

1、如果換發(fā)泡料用什么樣的發(fā)泡料比較好？

2、過預(yù)熱器加熱鋁箔要過很3圈，會不會彎曲后衰減不好？

 

［星月123 在 2012-4-18 17:51:39 編輯過］

如果要好一點點的話，使用雙面熱熔鋁箔，厚度66um，如果要合格的話換發(fā)泡料，是你的發(fā)泡料太差，不用考慮設(shè)備。另外熱熔鋁箔不加熱用他干啥

重點看看鋁箔的包覆情況，有沒有開口、翻邊、打折等情況，另外，導(dǎo)體的質(zhì)量也要引起重視，我的觀點是和發(fā)泡料的關(guān)系不大。

請問用哪里的發(fā)泡料比較好，各位大俠有用過合格的75-5發(fā)泡料嗎？

國內(nèi)的有HD1029應(yīng)該沒問題,進(jìn)口料DOW肯定沒問題就是價格高點.

_{^{繼續(xù)討論啊，我估計是發(fā)泡時的細(xì)節(jié)沒有注意好，大家看看有沒有好的細(xì)節(jié)。}}

_{^{國內(nèi)產(chǎn)品基本上在50MHZ時的衰減都不合格，如果合格的線就是阻抗非常高，達(dá)到85歐姆。}}

應(yīng)該不是，SYWV75-5-I要求4.7的衰減都做得到啊。你現(xiàn)在的的高低密配比是多少？發(fā)泡度是多少？阻抗是多少？銅導(dǎo)體不像銅包鋼低頻會有問題�？梢源_定的是，在阻抗公差范圍內(nèi)，行標(biāo)I類的衰減是做得到的。

同意hansen，應(yīng)該關(guān)注編織過程中上下模具尺寸是否合適，鋁箔有無起皺翻邊，開口

50是低頻 導(dǎo)體方面的問題

SYWV-75-5與SYWV-75-5-I有什么不同？明確的出處在哪？

是GY/T 135-1998嗎？好像這里沒有明確說明啊，難道SYWV-75-5是二屏蔽，SYWV-75-5-I是四屏蔽？

bsdtdw:

SYWV-75-5與SYWV-75-5-I有什么不同？明確的出處在哪？

是GY/T 135-1998嗎？好像這里沒有明確說明啊，難道SYWV-75-5是二屏蔽，SYWV-75-5-I是四屏蔽？

衰減指標(biāo)不同

謝謝11樓。

55MHz不過應(yīng)該是鋁層厚度不夠，至少要12um以上，你35um的熱熔鋁箔實際鋁層厚度可能只有10um左右�？梢詼y一下電阻。

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